Addio transistor al silicio: in arrivo nuovi semiconduttori ultrasottili dalle proprietà elettroniche eccellenti

Pubblicato il 24 Novembre 2010 9:48 | Ultimo aggiornamento: 24 Novembre 2010 10:03

Transistor al silicio

Buone notizie per la prossima generazione di semiconduttori: sono stati realizzati minuscoli transistor con proprietà elettroniche considerate ”eccellenti” integrando fogli ultrasottili di semiconduttori di arseniuro di indio in substrati di silicio. I dispositivi sono descritti su Nature da un gruppo di ricerca coordinato dall’università della California a Berkeley.

Poiché il silicio è molto costoso e poiché sarà disponibile in quantità sempre minori, l’industria elettronica sta intensificando le ricerche per trovare materiali alternativi da utilizzare per fabbricare superconduttori. Uno dei nuovi materiali sui quali si sta concentrando l’attenzione dei ricercatori è l’arseniuro di indio, che mostra ”superbe proprietà elettroniche”.

Un’altra sfida è trovare il modo per fabbricare i semiconduttori con tecnologie a basso costo, confrontabili a quelle attualmente usate per produrre i dispositivi di silicio. I ricercatori ci sono riusciti depositando fogli ultrasottili di arseniuro di indio su substrati di silicio, servendosi di tecnologie di produzione tradizionali.

E’ stato dimostrato, in questo modo, che è possibile ottenere con le tecniche convenzionali ciò che si chiama uno ‘Xoi’, ovvero una tecnologia semiconduttore-su-isolante, che riproduce l’attuale schema silicio-su-isolante o ‘Soi’. Membro della famiglia dei semiconduttori III-V, spiegano i ricercatori, l’arseniuro di indio offre molti vantaggi come alternativa ai dispositivi elettronici di silicio, inclusa superiore mobilità elettronica e alta velocità.

”Abbiamo realizzato una tecnica semplice per l’integrazione eterogenea di strati di arseniuro di indio fino a spessori di 10 milionesimi di millimetro su substrati di silicio”, ha osservato il coordinatore dello studio, Ali Javey. ”I nostri dispositivi – ha aggiunto – hanno dimostrato performance superiori se confrontati ai transistor di silicio delle stesse dimensioni”.